收藏本站
型号 SI3493DV-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
SI3493DV-T1-E3 PDF
代理商 SI3493DV-T1-E3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 27 毫欧 @ 7A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 32nC @ 4.5V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装 6-TSOP
包装 带卷 (TR)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI3493DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 6-TSOP
SI3495DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
SI3495DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
SI3495DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
SI3495DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
SI3499DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
SI3499DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
SI3499DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
SI3500-A-GM Silicon Laboratories Inc IC POE SWITCH PWR OVER LAN 20QFN
SI3529DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
SI3529DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP
SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP
SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP
SI3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP
SI3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP
SI3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP
SI3585DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP
SI3585DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP